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Intel:10nm工艺领先三星/台积电好多年,18年代工ARM芯片

2019/8/7 15:35:04     来源:咸阳日报

Intel:10nm工艺领先三星/台积电好多年,18年代工ARM芯片,据海外媒体报道,英特尔(Intel)日前宣布将推出10纳米芯片,搭载该芯片的处理器预计2017年推出,此消息一出,也等于驳斥外界认为摩尔定律发展已放缓的说法。评论指出,虽然其他厂商也推出10纳米技术,但各家标准并未统一,而且英特尔在10纳米技术仍维持数年的领先优势。

Intel:10nm工艺领先三星/台积电好多年,18年代工ARM芯片

据IEEE Spectrum报导,2017年英特尔将推出的新处理器采用该公司最新10纳米芯片制程技术。该公司也指出,届时采该制程生产的电晶体成本将比以往还低,代表摩尔定律精神不仅将延续,也驳斥电晶体制造成本已来到最低的说法。

展望来年,英特尔并计划在电晶体设计上继续精进,而且首度让自家制程技术最大化以便符合其他公司需求,可利用英特尔设备生产采安谋(ARM)架构的芯片。

英特尔院士Mark Bohr指出,虽然目前芯片制程世代或节点名称说法与芯片上的功能多有脱勾,但该公司10纳米世代所能达到的密度,将比目前14纳米芯片甚至其他业者的10纳米产品还要高。

该公司日前也公布多项新世代制程数据,包括负责开关的电晶体闸极长度以及闸极间距(gate pitch)都会更小,最小的闸极间距将由70纳米变成54纳米,执行标准逻辑功能的逻辑单元尺寸也会比目前采用14纳米技术的小46%。

Bohr也指出,这已是较往年更为大胆的微缩程度,也一反日前新芯片制程世代出现时间变慢的发展趋势。

英特尔指出,即使生产10纳米晶圆的成本会比14纳米高,但每颗电晶体生产成本会较低,而且在切换速度与功耗上都可获得提升。因此,Bohr表示,在尺寸与效率上改善后,将可望让服务器芯片增加更多核心以及在GPU增加执行单元。

过去英特尔每2年都会推出新的制程世代来升级电晶体,但在14纳米,该公司推出被称为半节点(deminode)世代,也就是在10纳米之前只针对14纳米做出改善,而且在10纳米后,预计在进展至下一个7纳米世代之前,也先推出2个半节点10nm+与10nm++。

目前三星电子(Samsung Electronics)与台积电也在生产10纳米芯片,2016年10月三星更宣布已率先量产,采用该芯片的装置预计在2017年初上市,GlobalFoundries则倾向在2018年开始一举进入7纳米。

对此,分析半导体产业发展的VLSI Research机构执行长Dan Hutcheson指出,目前各厂都在积极突破微缩的极限而且都取得进展,但彼此标准并未统一,若以10纳米产品比较,英特尔在特征尺寸上仍有多年领先优势。

除此之外,Hutcheson也指出,英特尔透过控制与一致化其自家制程而与其他厂商有所区隔,也帮助其在发展代工服务上具备优势。至于为其他公司代工芯片也是英特尔新作法之一,而且具备生产ARM处理器的能力后,对该公司来说更是重要。

英特尔也表示,首款10纳米芯片将优先在其处理器上采用,2018年再向其他厂商开放。


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